和双向可控硅的区别推荐如下：单向可控硅有阳极A、阴极K、操控极G三个引出脚。双向可控硅有榜首阳极A1（T1），第二阳极A2（T2）、操控极G三个引出脚。只有当单向可控硅阳极A与阴极K之间加有正向电压，一同操控极G与阴极间加上所需的正向触发电压时，方可被触发导通。目前A、K间呈低阻导通情况，阳极A与阴极K间压降约1V。单向可控硅导通后，操控器G 纵使失去触发电压，只要阳极A和阴极K之间仍正向电压，单向可控硅继续处于低阻导通情况。

　　设PNP管和NPN管的集电极电流相应为Ic1和Ic2；发射极电流相应为Ia和Ik；电流放大系数相应为a1=Ic1/Ia和a2=Ic2/Ik，设流过J2结的反相漏电电流为Ic0,

　　（一）可控硅是可控硅整流元件的简称，是一种具有三个pn结的四层结构的大功率半导体器件，一般由两可控硅反向连接而成。它的功用不仅是整流，还可以用作无触点开关以快速接通或切断电，实现将直流电变成交流电的逆变，将一种频率的交流电变成另一种频率的交流电等等。可控硅和其它半导体器件一样，其有体积小、效率高、稳定性好、工作可靠等优点。它的出现，使半导体技术从弱电领域进入了强电领域，成为工业、农业、交通运输、事科研以至商业、民用电器等方面争相采用的元件。

　　不然，当G极和T2极相对于T1的电压均为负时，T1变成阳极，T2为阴极。双向晶闸管的伏安特征见图3，鉴于正、反向特点曲线持有对称性，于是它可在任何一个方通。从晶闸管的内部解析工作过程：晶闸管是四层三端器件，它有J1、J2、J3三个PN结图一，可以把它中间的NP分成两部分，构成一个PNP型三极管和一个NPN型三极管的复合管图二.当晶闸管承担正向阳极电压时，为使晶闸管导通，务必使承担反向电压的PN结J2失去抵挡效应。

　　在中频炉中整流侧关断时间采取KP-60微秒以内，逆变侧关短时间选取KK-30微秒以内这也是KP管与KK管的主要区别晶闸管T在工作过程中，它的阳极A和阴极K与电源和负荷连接，组成晶闸管的主电，晶闸管的门极G和阴极K与控制晶闸管的安置连接，组成晶闸管的控制电。

　　（二）可控硅（又叫晶闸管）t在工作过程中，它的阳极a和阴极k与电源和负载连接，组成可控硅的主电，可控硅的门极g和阴极k与控制可控硅的装置连接，组成可控硅的控制电。

　　此时只能流过很小的反向饱和电流，当电压更深一步改善到J1结的雪崩击穿电压后，接差J3结也击穿，电流迅速增添，特征发生了弯曲，弯曲处的电压URO叫“反向转折电压”。此时，可控硅会发生永久性反向击穿。（2）正向特征当控制极开，阳极上加上正向电压时，J1、J3结正偏，但J2结反偏，这与普通PN结的反向特点一模一样，也只能流过很小电流，这叫正向阻断状态，当电压增添，特质发生了弯曲，弯曲处的是UBO叫，正向转折电压阳极加正向电压鉴于电压升高到J2结的雪崩击穿电压后，J2结发生雪崩倍增作用，在结区产生大批的电子和空穴，电子时入N1区，空穴时入P2区。

　　（三）双向可控硅属于npnpn五层器件，三个电极分别是t1、t2、g。因该器件可以双向导通，故除门极g以外的两个电极统称为主端子，用t1、t2。表示，不再划分成阳极或阴极。其特点是，当g极和t2极相对于t1，的电压均为正时，t2是阳极，t1是阴极。反之，当g极和t2极相对于t1的电压均为负时，t1变成阳极，t2为阴极。双向晶闸管的伏安特性由于正、反向特性曲线具有对称性，所以它可在任何一个方向导通。

　　（四）当可控硅承受正向阳极电压时，为使晶闸管导通，必须使承受反向电压的pn结j2失去作用。图2中每个晶体管的集电极电流同时就是另一个晶体管的基极电流。因此，两个互相复合的晶体管电，当有足够的门极电流ig流入时，就会形成强烈的正反馈，造成两晶体管饱和导通，晶体管饱和导通。

　　当正向阳极电压，而门极未受电压的景况下，式（1—1）中，Ig=0，(a1a2)很小，故晶闸管的阳极电流Ia≈Ic0晶闸关处于正向阻断状态。当晶闸管在正向阳极电压下，从门极G流入电流Ig，鉴于充分大的Ig流经NPN管的发射结，故而提升起点流放大系数a2，产生充分大的极电极电流Ic2流过PNP管的发射结，并进步了PNP管的电流放大系数a1，产生更大的极电极电流Ic1流经NPN管的发射结。

　　当晶闸管正向阳极电压时，为使晶闸管导通，务必使承担反向电压的PN结J2失去抵抗效用。图2中每个晶体管的集电极电流同时就是另一个晶体管的基极电流。故而，两个双方复合的晶体管电，当有充分的门极电流Ig流入时，就会形成强烈的正反馈，造成两晶体管饱和导通，晶体管饱和导通。